2H-MoS2 二硫化鉬晶體

2H-MoS2（2H Molybdenum Disulfide）是一種間接帶隙為 1.2 eV 的半導體。單層 MoS2 的帶隙約為 1.8 eV。它···

Semiconductor

NbSe2 二硒化鈮晶體

2H-NbSe2 （2H Niobium Diselenide）是一種超導體，Tc ≈ 7.2 K；同時也是電荷密度波（Charge Density Wav···

Superconductor CDW

2H-MoSe2 二硒化鉬晶體

MoSe2 (2H Molybdenum Diselenide)是一種半導體層狀材料。層間相互作用為范德華（van der Waals）相互作用。···

Semiconductor

WSe2 二硒化鎢晶體

WSe2 (Tungsten Diselenide)是一種半導體層狀材料。層間相互作用為范德華（van der Waals）相互作用。它是間···

Semiconductor

2H-WS2 二硫化鎢晶體

2H-WS2 (2H Tungsten Disulfide)是一種半導體層狀材料。層間相互作用為范德華（van der Waals）相互作用。它···

Semiconductor

h-BN 六方氮化硼晶體

六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride, h-BN）是一種帶隙約為 6 eV 的絕緣體，已被廣泛用作生產由各種二維···

Insulator

2H-TaS2 二硫化鉭晶體

2H-TaS2 (2H phase Tantalum Disulfide)是一種金屬；在溫度低于75 - 80 K是是一種非公度的CDW系統；同時也···

1T-TaS2 二硫化鉭晶體

常壓下，1T-TaS2 (1T phase Tantalum Disulfide)在溫度高于550 K時是金屬相；而低于550 K時是非公度CDW相 ···